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申请/专利权人：天津华慧芯科技集团有限公司
摘要：本发明公开了一种亚波长多台阶衍射光学元件的制备方法，属于光学元件制备技术领域，包括：S1、在衬底上表面涂正胶a，正胶a上表面涂负胶b；正胶a的临界剂量为Da，负胶b的临界剂量为Db，DaDb；正胶a在反转剂量Dt下反转为负胶c，负胶c的临界剂量为Dc，且DcDtDb；S2、在需要刻蚀最深台阶的区域曝光剂量为D1；在需要保留衬底的区域曝光剂量为D2；其他区域不做曝光处理；DaD1Db、D2Dc；S3、用负胶显影液去除负胶；S4、用正胶显影液去除正胶；S5、刻蚀，刻蚀时间大于下层正胶a被全部刻蚀所需时间；S6、去除衬底上表面的光刻胶；本发明更稳定、更精确、加工难度更低且无套刻误差。
主权项：1.一种亚波长多台阶衍射光学元件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、涂胶：在衬底上表面先涂正胶a，在所述正胶a上表面再涂负胶b；所述正胶a的临界剂量为Da，负胶b的临界剂量为Db，DaDb；所述正胶a在反转剂量Dt下反转为负胶c，负胶c的临界剂量为Dc，且DcDtDb；S2、曝光：在衬底上需要刻蚀最深台阶的区域，选择的曝光剂量为D1；在需要保留衬底的区域，选择的曝光剂量为D2，其他区域不做曝光处理；其中，DaD1Db、D2Dc；S3、负胶显影：用负胶显影液去除负胶；S4、正胶显影：用正胶显影液去除正胶；S5、刻蚀：通过刻蚀将光刻胶图形转移到衬底，刻蚀时间大于下层正胶a被全部刻蚀所需的时间；S6、去除衬底上表面残留的光刻胶，制备结束。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 天津华慧芯科技集团有限公司 一种亚波长多台阶衍射光学元件的制备方法
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