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申请/专利权人：重庆邮电大学
摘要：本发明涉及一种具有透明电极的硅调制器，属于半导体技术领域。该硅调制器由下到上包括衬底、介质层、脊型波导或条形波导、第一透明电极、第二透明电极、第一接触金属和第二接触金属；脊型波导包括P掺杂区、N掺杂区、P+区、P++区、N+区和N++区；条形波导包括P掺杂区和N掺杂区。本发明能提高硅调制器带宽。
主权项：1.一种具有透明电极的硅调制器，包括衬底3和介质层2，所述介质层2设置在衬底3上；其特征在于，该硅调制器还包括脊型波导、第一透明电极108、第二透明电极101、第一接触金属130和第二接触金属131；所述脊型波导设置在介质层上；所述脊型波导包括一个PN结、P+区106、P++区107、N+区103和N++区104；所述PN结包括一个P掺杂区105和一个与其右侧相邻的N掺杂区102；所述P+区106右侧与P掺杂区105左侧下半部分相邻；所述P++区107右侧与P+区106左侧相邻；所述N+区103左侧与N掺杂区102右侧下半部分相邻；所述N++区104左侧与N+区103右侧相邻；所述第一透明电极108同时设置在P掺杂区105、P+区106和P++区107上，所述第一透明电极108和P++区107形成隧穿结欧姆接触，所述第一透明电极108和P掺杂区105形成欧姆接触；所述第二透明电极101同时设置在N掺杂区102、N+区103和N++区104上，所述第二透明电极101和N++区104形成隧穿结欧姆接触，所述第二透明电极101和N掺杂区102形成肖特基接触；所述第一接触金属130设置在所述P++区107上；所述第二接触金属131设置在N++区104上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 重庆邮电大学 具有透明电极的硅调制器
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