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申请/专利权人：国际商业机器公司
摘要：提供了一种自旋转移矩磁阻随机存取存储器STT‑MRAM装置。STT‑MRAM装置包括基板，电介质层和磁性隧道结MTJ堆叠体。基板包括导体和着陆垫。MTJ堆叠体包括参考层元件、自由层组件和阻挡层元件。参考层元件衬有再沉积的金属，且设置在电介质层内的着陆垫上。自由层组件包括自由层元件、设置在自由层元件上的硬掩模层元件、衬在自由层和硬掩模层元件的侧壁上的再沉积的金属、以及衬在再沉积的金属上的介电材料。阻挡层元件插设在参考层元件和自由层组件之间并且具有与参考层元件和自由层组件相同的宽度。
主权项：1.一种自旋转移矩磁阻随机存取存储器STT-MRAM装置，包括：基板，所述基板包括导体和着陆垫；电介质层；和磁性隧道结MTJ堆叠体，所述磁性隧道结堆叠体包括：参考层元件，所述参考层元件衬有再沉积的金属，且设置在电介质层内的着陆垫上；自由层组件，所述自由层组件包括自由层元件、设置在所述自由层元件上的硬掩模层元件，衬在所述自由层元件和硬掩模层元件的侧壁上的再沉积的金属、以及衬在所述再沉积的金属上的介电材料；和阻挡层元件，所述阻挡层元件插设在参考层元件和自由层组件之间且具有与参考层元件和自由层组件相同的宽度；其中电介质层的最上表面与参考层元件的相应最上表面共面或在每个参考层元件的相应最上表面下方凹陷。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 国际商业机器公司 自旋转移矩磁阻随机存取存储器装置及其制造方法
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