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摘要:本发明为有关一种防止存储单元数据遗失的方法,该存储单元的晶体管于半导体基底上成型源极、漏极与通道,且通道上成型隧穿氧化层、浮置栅极、隧穿氧化层及控制栅极,而先对浮置栅极进行清除作业,并使用微弱电场,将少许电子注入浮置栅极内部,供浮置栅极内部保持少许电子,并导通源极与漏极间的通道,且浮置栅极内部少许电子与二侧隧穿氧化层内部电子形成相互排斥,避免电子累积在二侧隧穿氧化层内,可正常读取浮置栅极内部数据,利用正常写入电场对浮置栅极注入正常电子,阻止源极与漏极间的通道导通,则可将数据写入浮置栅极内。
主权项:1.一种防止存储单元数据遗失的方法,其特征在于,该存储单元包括具有半导体基底的晶体管,而半导体基底上成型有源极、漏极与位于源极、漏极之间的通道,且于通道上成型有堆叠状的浮置栅极、控制栅极,并于该浮置栅极二侧表面与相对的半导体基底、控制栅极间分别成型有隧穿氧化层,其防止存储单元的电子数据遗失的步骤为:(A)先对浮置栅极进行清除作业;(B)使用低于正常写入的微弱电场,将少许电子注入浮置栅极内部;(C)而于浮置栅极内部保持少许电子,则源极与漏极之间通道导通;(D)且浮置栅极内部少许电子与二侧隧穿氧化层内部电子形成相互排斥,避免电子累积在二侧隧穿氧化层内,以供正常读取浮置栅极内部的数据;以及(E)再利用正常写入电场对浮置栅极注入正常电子,即阻止源极与漏极间的通道导通,则将数据写入浮置栅极内。
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百度查询: 禾瑞亚科技股份有限公司 防止存储单元数据遗失的方法
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