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申请/专利权人：武汉鑫威源电子科技有限公司
摘要：本公开提供了一种半导体量子阱结构的制备方法，包括：在衬底的一侧形成n型半导体层；在n型半导体层背向衬底的一侧形成多量子阱结构，多量子阱结构包括交替设置的量子垒层和量子阱层，量子阱层的材料包括：氮化铟镓，量子垒层包括：垒层基础层和位于垒层基础层背向衬底一侧的垒层调制层，垒层调制层包括沿预设第一方向呈周期性排布的多条第一凸起条纹，量子阱层包括：阱层基础层和位于阱层基础层背向衬底一侧的阱层调制层，阱层调制层包括沿预设第二方向呈周期性排布的多条第二凸起条纹，预设第一方向和预设第二方向中之一为衬底的周向方向，另一为衬底的径向方向；在多量子阱结构背向衬底的一侧形成p型半导体层。
主权项：1.一种半导体量子阱结构的制备方法，其特征在于，包括：在衬底的一侧形成n型半导体层；在所述n型半导体层背向所述衬底的一侧形成多量子阱结构，所述多量子阱结构包括交替设置的量子垒层和量子阱层，所述量子阱层的材料包括：氮化铟镓，所述量子垒层包括：垒层基础层和位于所述垒层基础层背向所述衬底一侧的垒层调制层，所述垒层调制层包括沿预设第一方向呈周期性排布的多条第一凸起条纹，所述量子阱层包括：阱层基础层和位于所述阱层基础层背向所述衬底一侧的阱层调制层，所述阱层调制层包括沿预设第二方向呈周期性排布的多条第二凸起条纹，所述预设第一方向和所述预设第二方向中之一为所述衬底的周向方向，另一为所述衬底的径向方向；在多量子阱结构背向衬底的一侧形成p型半导体层。
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百度查询： 武汉鑫威源电子科技有限公司 半导体量子阱结构及其制备方法
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