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申请/专利权人：安徽格恩半导体有限公司
摘要：本发明涉及一种具有低俄歇复合量子阱的半导体发光器件的外延结构。该外延结构，由下至上依次包括衬底、n型半导体、有源层和p型半导体，所述有源层为低俄歇复合量子阱，所述低俄歇复合量子阱为阱层和垒层组成的周期结构，周期数为1～50，所述低俄歇复合量子阱包括第一低俄歇复合量子阱和第二低俄歇复合量子阱；该外延结构，通过形成低俄歇复合效应量子阱的有源层，来抑制在电流注入下电子空穴复合过程中将能量或动量通过碰撞转移给其他粒子，从而减少能量的消耗，使电子和空穴可以在更长的时间内停留在激光器中，从而提升发光元件的墙插效率和老化光衰。
主权项：1.一种具有低俄歇复合量子阱的半导体发光器件的外延结构，由下至上依次包括衬底、n型半导体、有源层和p型半导体，其特征在于，所述有源层为低俄歇复合量子阱，所述低俄歇复合量子阱为阱层和垒层组成的周期结构，周期数为1～50，所述低俄歇复合量子阱包括第一低俄歇复合量子阱和第二低俄歇复合量子阱。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 安徽格恩半导体有限公司 一种具有低俄歇复合量子阱的半导体发光器件的外延结构
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