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申请/专利权人：北京大学深圳研究生院
摘要：本发明公开了一种ZnCdS合金量子点的制备方法。该合金量子点的制备方法包括以下步骤：S1、将CdS量子点的十八烯溶液在室温下抽真空一定时长，然后升温到第一温度范围下，再次抽真空一定时长；S2、通惰性气体保护，并在惰性气体保护下和第一温度范围下加入单前体溶液后升温到第二温度范围并保温一定时长以进行外延生长第一层ZnS壳，然后降温到第一温度范围，重复上述操作，n次操作后，外延生长第n层ZnS壳，得到CdSnZnS核壳量子点溶液；S3、将CdSnZnS核壳量子点溶液纯化后溶解在十八烯中，然后在惰性气体保护下升温到第三温度范围下，并加入铜离子催化剂溶液和软碱溶液，保温和退火一定的时长，形成ZnCdS合金量子点。
主权项：1.一种ZnCdS合金量子点的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、将CdS量子点的十八烯溶液在室温下抽真空一定时长，然后升温到第一温度范围下，再次抽真空一定时长；所述CdS量子点的十八烯溶液中，CdS量子点的平均半径小于或等于其自身块状材料的激子波尔半径；S2、在惰性气体保护下和第一温度范围下加入单前体溶液后升温到第二温度范围并保温一定时长以进行外延生长第一层ZnS壳，然后降温到所述第一温度范围，重复上述操作，n次操作后，外延生长第n层ZnS壳，得到CdSZnS核壳量子点溶液，ZnS壳层数n为6～12；S3、将所述CdSZnS核壳量子点溶液纯化后溶解在十八烯中，然后在惰性气体保护下升温到第三温度范围下，并加入铜离子催化剂和软碱溶液保温和退火一定的时长，形成ZnCdS合金量子点；其中，所述第一温度范围为60～120℃，所述第二温度范围为160～200℃；步骤S3中，所述第三温度范围为280～320℃。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京大学深圳研究生院 一种ZnCdS合金量子点的制备方法
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