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申请/专利权人：株式会社东芝;东芝高新材料公司
摘要：一种经由含有Ag的接合层将金属板和陶瓷基板接合而成的接合体，其特征在于，在由接合层的厚度方向和其正交方向所形成的截面中的按接合层的厚度方向的长度×正交方向的长度200μm形成的测定区域中，相对于Ag浓度为50at％以下的贫Ag区，Ag浓度为60at％以上的富Ag区按面积比计存在70％以下。此外，接合层的厚度方向的长度优选在10μm以上且60μm以下的范围内。此外，陶瓷基板优选为氮化硅基板。
主权项：1.一种接合体，是将金属板和陶瓷基板经由含有Ag的接合层接合而成的接合体，其特征在于：在所述接合层的由厚度方向和其正交方向所形成的截面中的按所述接合层的厚度方向的长度×所述正交方向的长度200μm形成的测定区域中，相对于Ag浓度为50at％以下的贫Ag区，Ag浓度为60at％以上的富Ag区按面积比计存在70％以下，所述接合层含有Sn或In，所述测定区域中的Sn或In的浓度在1at％以上且6at％以下的范围内，在所述测定区域在所述正交方向上连续3个连着的三连测定区域中，至少存在1个所述贫Ag区在所述接合层的所述厚度方向上连着的区域。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 株式会社东芝 东芝高新材料公司 接合体及采用其的陶瓷电路基板以及半导体装置
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