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申请/专利权人：安徽三安光电有限公司
摘要：本发明提供一种反射结构、发光二极管及其制造方法，DBR结构中分散由于弥散反射粒子，该弥散反射粒子的反射率至少大于DBR结构中反射率较小的反射率，并且至少分布在DBR结构中折射率较小的材料层中，也可以分布在DBR结构的每一材料层中。上述弥散反射粒子选自反射率较高的金属粒子，例如Al、Ag及Au中的任意一种或几种。由于弥散反射粒子本身具有高反射能力，在发光二极管发光射入DBR层中时，可直接反射入射光回到正面，减少光在DBR膜层中的散射和吸收的损耗，提升芯片的发光效率。另外，弥散反射粒子的粒径小于形成DBR结构的材料的粒径，配合离子源辅助镀膜，可将弥散反射粒子紧密嵌入DBR膜层的空隙中，提升膜层的致密性和膜层平整度。
主权项：1.一种用于发光二极管的反射结构，其特征在于，包括DBR结构以及分散在所述DBR结构中的弥散反射粒子，所述DBR结构包括交替叠置的第一材料层和第二材料层，所述第一材料层和所述第二材料层的折射率不同，所述弥散反射粒子的反射率至少大于所述第一材料层的反射率和所述第二材料层的反射率中较小的反射率。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 安徽三安光电有限公司 一种反射结构、发光二极管及其制造方法
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