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申请/专利权人：京东方科技集团股份有限公司;京东方晶芯科技有限公司
摘要：一种发光二极管芯片、显示基板及其制作方法。该发光二极管芯片包括：第一导电类型半导体层、发光层、至少两个第二导电类型半导体层以及至少两个第一电极；发光层位于第一导电类型半导体层的一侧；至少两个第二导电类型半导体层，位于发光层远离第一导电类型半导体层的一侧；至少两个第一电极分别与至少两个第二导电类型半导体层电性相连。至少两个第二导电类型半导体层在第一导电类型半导体层上的正投影相互间隔设置，至少两个第一电极在第一导电类型半导体层上的正投影相互间隔设置。该发光二极管芯片可降低单个LED发光结构的尺寸，可实现较高的像素密度，并且在小电流的驱动下效率也较高。
主权项：1.一种发光二极管芯片，包括：第一导电类型半导体层；发光层，位于所述第一导电类型半导体层的一侧；至少两个第二导电类型半导体层，位于所述发光层远离所述第一导电类型半导体层的一侧；以及至少两个第一电极，分别与所述至少两个第二导电类型半导体层电性相连，其中，所述至少两个第二导电类型半导体层在所述第一导电类型半导体层上的正投影相互间隔设置，所述至少两个第一电极在所述第一导电类型半导体层上的正投影相互间隔设置，所述发光二极管芯片还包括衬底，所述第一导电类型半导体层、所述发光层和所述第二导电类型半导体层依次层叠在所述衬底上，所述发光层和所述第二导电类型半导体被部分刻蚀并暴露所述第一导电类型半导体，所述发光二极管芯片还包括第一绝缘层，所述第一绝缘层位于所述第一导电类型半导体层被暴露的部分远离所述衬底的一侧；所述第一绝缘层与所述第一导电类型半导体层被暴露的部分接触设置，所述第一电极在所述衬底上的正投影与所述第一绝缘层在所述衬底上的正投影交叠，部分所述第一电极在所述衬底上的正投影与所述发光层在所述衬底上的正投影不交叠，部分所述发光层在所述衬底上的正投影与所述第一电极在所述衬底上的正投影不交叠。
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