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申请/专利权人：新加坡优尼山帝斯电子私人有限公司

摘要：本发明提供一种三维半导体装置的制造方法。于半导体层6上形成遮罩材料层7。并且，形成顶部具有其具备相同平面形状的带状遮罩材料层9a的带状遮罩材料层8a。并且，形成连接带状遮罩材料层7、8a的两侧面而于顶部具有其具备相同平面形状的带状遮罩材料层15a、15b的带状遮罩材料层12aa、12ab。并且，形成连接带状遮罩材料层12aa、12ab的外侧的两侧面而于顶部具有其具备相同平面形状的带状遮罩材料层17a、17b的带状遮罩材料层16a、16b。并且，于前述带状遮罩材料层9a的上方朝向与俯视下前述带状遮罩材料层9a所延伸的方向正交的方向形成正交带状遮罩材料层。于该正交带状遮罩材料层与带状遮罩材料层8a、16a、16b的重叠区域通过半导体层6的蚀刻而形成半导体柱。并且，形成将该半导体柱作为通道的柱状半导体装置。

主权项：1.一种三维半导体装置的制造方法，包含：于位于第一基板上的至少一部分或整体由半导体层构成的第二基板上形成第一材料层的步骤；于前述第一材料层上，形成俯视下朝一方向延伸的第二带状材料层的步骤，该第二带状材料层的顶部上具有第一带状材料层，该第一带状材料层具有与该第二带状材料层相同的俯视形状；以覆盖前述第一材料层、前述第一带状材料层及前述第二带状材料层的整体的方式，从下开始形成第二材料层与第三材料层的步骤；进行平滑化以使前述第二材料层与前述第三材料层的上表面位置成为前述第一带状材料层的上表面位置的步骤；于平滑化后的前述第二材料层的顶部形成被夹持于平滑化后的前述第三材料层与前述第一带状材料层的侧面的第三带状材料层的步骤；去除平滑化后的前述第三材料层的步骤；以前述第一带状材料层与前述第三带状材料层作为遮罩，蚀刻前述第二材料层，而形成接于前述第二带状材料层的两侧侧面的第四带状材料层的步骤；以覆盖前述第一材料层、前述第一带状材料层、前述第二带状材料层、前述第三带状材料层及前述第四带状材料层的整体的方式，从下開始形成第四材料层与第五材料层的步骤；进行平滑化以使前述第四材料层与前述第五材料层的上表面位置成为前述第一带状材料层的上表面位置的步骤；于平滑化后的前述第四材料层的顶部形成被夹持于平滑化后的前述第五材料层与前述第三带状材料层的侧面的第五带状材料层的步骤；去除前述第五材料层的步骤；以前述第一带状材料层、前述第三带状材料层及前述第五带状材料层作为遮罩，蚀刻前述第四材料层，形成接于前述第四带状材料层的侧面的第六带状材料层的步骤；去除前述第三带状材料层与前述第四带状材料层的步骤；于前述第一带状材料层的更上方或更下方，形成俯视下与前述第一带状材料层正交的由单层或多层构成的第七带状材料层的步骤；至少通过前述第一带状材料层与前述第五带状材料层、或前述第二带状材料层与前述第六带状材料层，形成俯视下位于前述第七带状材料层、前述第二带状材料层及前述第六带状材料层的第一重叠区域的俯视下为长方形或圆形的第一遮罩材料层的步骤；以及以前述第一遮罩材料层作为遮罩，蚀刻前述第二基板，于前述第一基板上形成由前述半导体层构成的三维形状半导体层的步骤；且将前述三维形状半导体层作为通道。

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