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申请/专利权人：东京毅力科创株式会社
摘要：本文披露了一种用于在蚀刻期间改进材料的微观和宏观均匀性二者的加工系统和平台。这些改进可以通过使用原子层湿法蚀刻ALE技术在材料表面上形成和溶解薄的自限制层来完成。对于多晶材料的蚀刻，可以使用这些自限制反应来防止蚀刻期间表面的这种粗糙化。因此，如本文所披露的，湿法ALE工艺使用顺序的自限制反应来首先对材料的表面层进行改性，然后选择性地去除改性层。
主权项：1.一种蚀刻衬底的方法，包括：接收所述衬底，所述衬底具有暴露的第一材料，所述第一材料包括多晶材料；以及选择性蚀刻所述多晶材料，所述选择性蚀刻包括：通过使所述多晶材料的表面暴露于化学溶液而对所述表面进行的化学改性以提供改性表面层，以及通过使所述改性表面层暴露于液相化学溶液而对所述多晶材料的所述改性表面层进行的选择性去除；其中：所述多晶材料具有第一部分和第二部分，所述多晶材料的所述第一部分对应于所述衬底的顶部，所述改性表面层对应于所述多晶材料的所述第一部分，以及所述改性表面层的所述选择性去除对应于去除所述衬底的所述顶部；以及其中，所述衬底进一步包括由与所述第一材料不同的材料构成的第二材料，其中，所述多晶材料具有用第一表面粗糙度值表征的表面粗糙度；以及所述选择性蚀刻包括通过以下方式将所述表面粗糙度减小到第二表面粗糙度值：通过将所述衬底暴露于作为对所述多晶材料进行化学改性的第一湿法化学溶液的化学溶液以形成所述改性表面层，然后将所述衬底暴露于作为第二湿法化学溶液的所述液相化学溶液以溶解所述改性表面层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 东京毅力科创株式会社 使用自限制和溶解度受限反应的原子层湿法蚀刻
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