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一种半导体异质结构纳米线的生长装置 

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申请/专利权人:广西师范大学

摘要:本实用新型涉及电气元件生产装置技术领域,具体涉及一种半导体异质结构纳米线的生长装置,包括反应腔体石英管、切换机构和源机构,切换机构包括把手、第二磁铁、第一磁铁、连接杆和挂钩,源机构包括石英细管、多孔石英支架、金属环和石英舟,通过把手带动第一磁铁在反应腔体外壁上移动,并带动连接杆上的挂钩靠近对应的金属环,然后通过转动把手带动第一磁铁转动,使得第一磁铁通过磁场带动第二磁铁在反应腔体石英管内转动,改变挂钩的角度,使得挂钩将金属环勾住,此时可通过把手对被勾住的石英细管进行位置调整,以实现源材料的切换,解决了传统的CVD没有可以在生长过程中切换各种源材料的部件,不能生长复杂的异质结构的问题。

主权项:1.一种半导体异质结构纳米线的生长装置,其特征在于,包括反应腔体石英管、切换机构和源机构;所述切换机构包括把手、第二磁铁、第一磁铁、连接杆和挂钩,所述第二磁铁设置于所述反应腔体石英管内,所述第一磁铁设置于所述反应腔体石英管外,所述把手与所述第一磁铁固定连接,并位于远离所述第二磁铁的一侧,所述连接杆与所述第二磁铁固定连接,并位于所述第二磁铁外侧壁,所述挂钩与所述连接杆固定连接,并位于远离所述第二磁铁的一侧;所述源机构包括石英细管、多孔石英支架、金属环和石英舟,所述多孔石英支架设置于所述反应腔体石英管内,所述石英细管设置于所述多孔石英支架内侧壁,并贯穿所述多孔石英支架,所述金属环与所述石英细管固定连接,并位于靠近所述挂钩的一侧,所述石英舟设置于所述石英细管的一侧。

全文数据:

权利要求:

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