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申请/专利权人：天合光能股份有限公司
摘要：本申请涉及太阳能电池技术领域，提供了一种硅基异质结太阳能电池及其制备方法。该硅基异质结太阳能电池包括：硅衬底，以及在所述硅衬底的正面且沿第一方向依次层叠设置的第一钝化层、N型掺杂层、第一透明导电氧化物层、第一电极；其中，所述第一钝化层包括：沿所述第一方向依次层叠设置的第一子钝化层、掺碳非晶硅层和第二子钝化层。本申请提供的技术方案，在第一钝化层中引入掺碳非晶硅层，有利于优化膜层导电率，从而提高电池的短路电流和填充因子，并改善器件性能。
主权项：1.一种硅基异质结太阳能电池，其特征在于，包括：硅衬底，所述硅衬底包括相对设置的正面和背面；在所述硅衬底的正面且沿第一方向依次层叠设置的第一钝化层、N型掺杂层、第一透明导电氧化物层、第一电极；其中，所述第一钝化层包括：沿所述第一方向依次层叠设置的第一子钝化层、掺碳非晶硅层和第二子钝化层；所述第一子钝化层为第一掺氧非晶硅层，所述第一掺氧非晶硅层的硅氧比大于0.1且小于1；所述第二子钝化层为第二掺氧非晶硅层，所述第二掺氧非晶硅层的硅氧比为大于0.1且小于1；在所述掺碳非晶硅层中，碳含量为0.1-4.4at%；所述第一子钝化层的结构因子大于所述掺碳非晶硅层的结构因子，所述掺碳非晶硅层的结构因子大于所述第二子钝化层的结构因子；且所述第一子钝化层的结构因子为0.6-0.75，所述掺碳非晶硅层的结构因子为0.45-0.58，所述第二子钝化层的结构因子为0.3-0.43；所述N型掺杂层包括：沿所述第一方向依次层叠设置的第一含氧种子层、第二含氧种子层、N型掺杂主体层、N型掺杂接触层；所述第一含氧种子层、所述第二含氧种子层、所述N型掺杂主体层的硅氧比依次递增；所述第一含氧种子层、所述第二含氧种子层、所述N型掺杂主体层、所述N型掺杂接触层的磷硅比依次递增；在所述第一子钝化层和所述第二子钝化层之间设置所述掺碳非晶硅层，利于电子利用掺碳非晶硅的缺陷密度进行能带跳跃，从而提高所述第一钝化层的导电性。
全文数据：
权利要求：
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