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申请/专利权人：北京中电华大电子设计有限责任公司
摘要：本发明公开了一种支持FLASH页替换及坏页测试的仿真器，仿真器包括坏页信息BAK区、FLASH接口处理模块、坏页信息随机产生模块、擦写读控制模块、坏页信息区、RDN数据区和MAIN数据区。仿真器在上电过程中随机产生坏页信息区数据同时把坏页信息区数据读到坏页信息BAK区，FLASH控制器在擦写读操作时依据坏页信息BAK区内容控制对RDN数据区或MAIN数据区擦写读操作。通过仿真器软件修改坏页信息BAK区内容，实现RDN页与MAIN坏页轮换遍历，完成FLASH控制器坏页替换机制的功能测试。本发明仿真器满足正常情况下的FLASH擦写读功能，同时支持MAIN区最多4个坏页的FLASH功能仿真。本发明便于软件程序调试和坏页替换功能测试，提高了FLASH产品的开发和测试效率。
主权项：1.一种支持FLASH页替换及坏页测试的仿真器，包括FLASH控制器和FLASH仿真器，其中，FLASH控制器包括坏页信息BAK区，FLASH仿真器包括FLASH接口处理模块、坏页信息随机产生模块、擦写读控制模块、坏页信息区、RDN数据区和MAIN数据区；FLASH控制器与FLASH仿真器相连，依据FLASH控制器中的坏页信息BAK区内容实现对FLASH仿真器中RDN数据区、MAIN数据区的擦写读操作功能；所述坏页信息随机产生模块与坏页信息区相连，在上电过程中产生FLASH的坏页信息数据；所述FLASH接口处理模块，与FLASH控制器和擦写读控制模块相连，完成接口信号处理和数据转换；所述擦写读控制模块，与FLASH接口处理模块、RDN数据区、MAIN数据区和坏页信息区相连，实现FLASH擦写读功能和坏页替换功能。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京中电华大电子设计有限责任公司 一种支持FLASH页替换及坏页测试的仿真器
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