龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：安徽工业大学
摘要：本发明涉及PVD涂层生产工艺技术领域，具体涉及一种离子刻蚀工艺控制PVD沉积涂层缺陷的方法，该方法采用柱弧Ti靶材，在辅助阳极的作用下对试样进行离子刻蚀，惰性气体氩气作为反应气体，产生的等离子体达到离子刻蚀的作用，减少涂层沉积缺陷。使用表征设备对离子刻蚀前后的微观组织进行分析，并对不同涂层在3.5wt.％NaCl溶液条件下的腐蚀行为进行深入的分析。通过引入离子刻蚀的方法有效降低了缺陷的数量，同时改善涂层的电化学性能。
主权项：1.一种离子刻蚀工艺控制PVD沉积涂层缺陷的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，样品表面前处理：利用粗砂纸将样品表面打磨除锈，再用细砂纸对表面进行打磨，然后使用抛光设备将样品表面抛光至镜面，最后将抛光好的样品放入酒精中进行超声波清洗、烘干；S2，装夹样品：使用夹具固定表面前处理的样品后，放置在炉腔内转架上；S3，设备抽真空：将腔室内的压强抽至P≤5.0×10-4mbar；S4，设备加热：通过设备腔体壁上的加热管，对样品进行加热至300℃，加热时间为3600s；S5，样品的辉光清洗：向腔室内通入氩气，设置偏压为-400V，对样品表面进行辉光清洗；S6，样品的离子刻蚀清洗：向腔室内通入氩气，设置偏压为-300V，开启Ti靶，从靶材上溅射出来的Ti离子被屏蔽罩遮挡，产生的电子在辅助阳极的作用下，对氩气进行轰击电离，产生的等离子体对样品表面进行刻蚀清洗；S7，样品的过渡层沉积：样品完成离子刻蚀清洗后，向腔室内通入氩气，开启Cr靶，从靶材中溅射的粒子沉积于样品表面，生成Cr金属过渡层；S8，CrNNbN涂层的制备：停止氩气的通入，在腔室内通入氮气，交替开启或同时开启Cr靶和Nb靶弧电源，靶材溅射的粒子和氮气离化的粒子结合，生成CrNNbN多层纳米多层涂层，在涂层制备过程中，插入三次离子刻蚀，持续时间分别为600s；S9，样品冷却、取样：沉积完毕后，待炉腔温度冷却到120℃以下时取出样品。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 安徽工业大学 一种离子刻蚀工艺控制PVD沉积涂层缺陷的方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号