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申请/专利权人：常州银河电器有限公司
摘要：本发明涉及一种正六角芯片加工工艺，步骤如下：规划区域，一次光刻，湿法腐蚀，二次光刻，电泳钝化，LTO氧化，三次光刻，表面镀层，测试和划切。本发明生产出的六角芯片对比之前在同尺寸下，芯片及焊接面积更大，相应的浪涌水平更好，耐大电流能力强，更有助于均匀的分布热量，改善散热效果，而且六角芯片外围为大钝角，相对于方型芯片，耐冲压及应力能力更强，在同步压力下，四角芯片的直角极易破损断裂。在封装时，六角芯片在石墨舟内便于引线装架操作。
主权项：1.一种正六角芯片加工工艺，其特征在于：步骤如下：S1、规划区域：在光刻板表面刻出多个加工单元，并在版图上的每个芯片加工单元上分出空白区、开槽区和划片区，空白区呈正六边形，所述开槽区沿空白区的外周设置，所述划片区沿开槽区的外周设置；S2、一次光刻：对光刻板上的版图进行匀胶、光刻和显影作业，使空白区域覆盖有光刻胶；S3、湿法腐蚀：对光刻板进行湿法腐蚀，将空白区以外的区域腐蚀成槽；S4、二次光刻，对光刻板上的版图进行匀胶、光刻和显影作业，使空白区和划片区覆盖有光刻胶；S5、电泳钝化，对光刻板进行电泳钝化和LTO氧化，在开沟槽的底内部，侧面及台面边缘生成玻璃层，同时空白区的光刻胶在电泳的高温下燃烧去除，空白区与开槽区的交界处形成玻璃环；S6、LTO氧化，将玻璃环区域进行氧化处理；S7、三次光刻，对光刻板上的版图进行匀胶、光刻和显影作业，空白区以外的区域覆盖有光刻胶，空白区表面不覆盖光刻胶；S8、表面镀层，在空白区的表面金属化的镀镍、镀金和镀钛镍银；S9、测试和划切，进行相关性能的测试，并沿划片区切割，将整板划切成芯片。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 常州银河电器有限公司 正六角芯片加工工艺
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