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申请/专利权人：中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
摘要：本发明提供的一种铂FRD的制造方法，通过在N型硅衬底的背面溅射或蒸发铂金属层，然后进行两次热处理工艺，实现了铂金属的精确掺杂，铂金属的均匀分布，铂金属的高效激活，铂金属的节约使用；制作的二极管正向压降低、快速反向恢复时间短，高温稳定性好，可靠性高，适用于高频、高功率的电子电路中；该快恢复二极管的恢复时间为几百纳秒至几十纳秒，完全满足快恢复二极管的定义。
主权项：1.一种铂FRD的制造方法，其步骤为：S1、选择一块掺杂浓度为1E19～1E21atomcm3的硅片作为N型硅衬底，并在N型硅衬底上生长N型外延层；S2、在N型外延层上生长一层氧化硅层作为氧化层，并在氧化层上光刻出环区和元胞区；S3、在环区和元胞区注入少量的硼离子，再通过退火处理，形成P型掺杂层；S4、在P型掺杂层上生长P型重掺杂层；S5、使用氮化硅或氧化硅在P型重掺杂层沉积缓冲层，在缓冲层上使用光刻胶涂覆出正面保护层的图形；S6、在N型硅衬底的背面溅射或蒸发一层铂金属层；S7、光刻去除正面保护层的图形，进行第一热处理工艺，使铂金属层与N型硅衬底反应，形成铂硅化合物层；S8、进行第二热处理工艺，形成铂掺杂区；S9、干法刻蚀去除缓冲层后在铂掺杂区上生长环形场板ALN；S10、分别制作的P电极和N电极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂) 一种铂FRD的制造方法
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