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一种基于无氧铜铂加厚的芯片封装方法 

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申请/专利权人:江苏索力德普半导体科技有限公司

摘要:本发明涉及一种基于无氧铜铂加厚的芯片封装方法,包括以下步骤:对芯片进行等离子清洗;将芯片焊接于DBC基板上,从而得到第一焊接组件;在第一焊接组件的芯片焊盘表面放置高温焊片;在高温焊片的表面放置无氧铜铂,得到第二焊接组件,采用真空加流焊接设备对第二焊接组件进行焊接;第二焊接组件上需要连接的无氧铜铂之间采用第一铜线进行连接;第二焊接组件上无氧铜铂与DBC基板之间采用第二铜线进行连接;随后在DBC基板表面灌封绝缘材料,绝缘材料固化后,完成封装。通过设置无氧铜铂和高温焊片,对芯片上的焊盘进行加厚,能够对芯片产生保护作用,防止铜线连接对芯片造成损伤,其步骤简单,制程短,能够有效提高生产效率,降低生产成本。

主权项:1.一种基于无氧铜铂加厚的芯片封装方法,其特征在于:包括以下步骤:S1.对芯片1进行等离子清洗;S2.将芯片1焊接于DBC基板6上,从而得到第一焊接组件;S3.在第一焊接组件的芯片1焊盘表面放置高温焊片2;S4.在S3.中高温焊片2的表面放置无氧铜铂3,得到第二焊接组件,采用真空加流焊接设备对第二焊接组件进行焊接;所述无氧铜铂3的底部均匀设置有数个凸点,无氧铜铂3用于对芯片1上的焊盘进行加厚;所述高温焊片2、无氧铜铂3的形状均与芯片1上对应的焊盘形状一致;所述无氧铜铂3的厚度为0.1mm;焊接温度为240℃-260℃;S5.第二焊接组件上需要连接的无氧铜铂3之间采用第一铜线4进行连接;第二焊接组件上无氧铜铂3与DBC基板6之间采用第二铜线5进行连接;S6.随后在DBC基板6表面灌封绝缘材料,并使得绝缘材料覆盖第一焊接组件,绝缘材料固化后,完成封装。

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权利要求:

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