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申请/专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
摘要：本发明提供一种半导体工艺腔室及其上电极结构，上电极结构包括磁控管组件、发射组件、接收组件、靶材和信号处理装置；磁控管组件位于靶材上方；发射组件与接收组件对称设置在磁控管组件沿水平方向的两侧，且高度均与磁控管组件对应；发射组件用于向接收组件发射多束沿高度方向间隔设置的光线；接收组件用于接收光线以形成光信号，将光信号转换成电信号并发送给信号处理装置；信号处理装置用于根据电信号确定磁控管组件与靶材之间的靶磁间距。在本发明中，磁控管组件能够阻挡发射组件发出的对应高度范围内的光线，进而可根据接收组件接收到光线的情况实时确定磁控管组件的高度，提高确定磁控管组件位置的效率，并保证磁控管组件位置的精确性。
主权项：1.一种上电极结构，应用于半导体工艺腔室，其特征在于，所述上电极结构包括磁控管组件、发射组件、接收组件、靶材和信号处理装置；其中，所述磁控管组件位于所述靶材上方且用于向所述半导体工艺腔室的内部提供磁场；所述发射组件与所述接收组件对称设置在所述磁控管组件沿水平方向的两侧，且沿竖直方向的高度均与所述磁控管组件对应；所述发射组件用于向所述接收组件发射多束水平传播且沿高度方向间隔设置的光线；所述接收组件用于接收所述光线以形成光信号，且将所述光信号转换成电信号并发送给所述信号处理装置；所述信号处理装置用于根据所述电信号确定所述磁控管组件与所述靶材之间的靶磁间距。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体工艺腔室及其上电极结构
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