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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
摘要：本申请提供了一种基于高温SOICMOS工艺的EEPROM单元及制造方法，属于半导体集成电路领域。本发明使用高温SOICMOS工艺制备两个晶体管FG和CG管并通过多晶硅ploy相连构成EEPROM单元，仅使用单层ploy工艺便实现非易失性存储，工艺复杂性低，与标准SOICMOS工艺兼容，较双层多晶结构可大幅降低制造成本。本发明中基于高温SOICMOS工艺中的STI全介质隔离技术，利用源漏注入到底的工艺制备CG管，完全避免由SOI薄硅膜结构限制引起的器件击穿电压过低的问题。经测试，CG管不存在击穿问题，该结构可在18V高压下实现编程和擦除。此结构和制造方法极大地推动了SOI器件在半导体存储领域的应用，为相关领域的进步提供了强有力的支持。
主权项：1.一种基于高温SOICMOS工艺的单层多晶EEPROM单元，其特征在于，所述单层多晶EEPROM单元包括：P型硅衬底层1、埋氧BOX层2、P型硅膜层3、P型体接触注入层4、N型源极注入层5、N型漏极注入层8、STI加固注入层9、栅氧化层、多晶栅POLY层、深N型注入层12、接触孔W1层13，金属A1层14；其中，栅氧化层包括FG栅极氧化层6、CG栅极氧化层10；多晶栅POLY层包括FG多晶浮栅7、CG多晶浮栅11、浮栅15。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第五十八研究所 一种基于高温SOI CMOS工艺的EEPROM单元及制造方法
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