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申请/专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
摘要：本发明公开了一种基于分子束外延的硅掺杂镓甚长波红外探测材料制备方法，所述方法包括以下步骤：将衬底放入MBE腔体内，控制腔体内真空低于1×10‑10Torr，将衬底加热至940‑960℃后，保持28‑32min，然后将衬底温度降低至550‑570℃，设置Ga源温度为680‑700℃，调节硅源的电子束流为打开硅源电子束挡板和Ga源挡板，生长吸收层；在吸收层外延结束后，衬底温度升高80‑100℃，在此期间保持硅源电子束流不变，生长900‑1100s后，停止生长，将外延片送入缓冲腔体，等待生长腔体的真空低于1×10‑10Torr，再送入生长腔体进行阻挡层生长。本发明通过控制生长束流、生长温度、阻挡层的生长方式，实现阻挡杂质带的结构。
主权项：1.一种基于分子束外延的硅掺杂镓甚长波红外探测材料制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1将衬底放入MBE腔体内，控制腔体内真空低于1×10-10Torr，将衬底加热至940-960℃后，保持28-32min，然后将衬底温度降低至550-570℃，设置Ga源温度为680-700℃，调节硅源的电子束流为2打开硅源电子束挡板和Ga源挡板，生长吸收层；3在吸收层外延结束后，衬底温度升高80-100℃，在此期间保持硅源电子束流不变，生长900-1100s后，停止生长，将外延片送入缓冲腔体，等待生长腔体的真空低于1×10-10Torr，再送入生长腔体进行阻挡层生长。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院上海技术物理研究所 一种基于分子束外延的硅掺杂镓甚长波红外探测材料制备方法
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