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申请/专利权人：浙江创芯集成电路有限公司
摘要：一种分离栅沟槽型器件的良率预测方法，所述分离栅沟槽型器件包括分离栅沟槽及栅极沟槽，所述分离栅沟槽用于形成屏蔽栅，所述栅极沟槽用于形成控制栅；其特征在于，所述方法包括：获取所述分离栅沟槽的平整度偏差值及所述栅极沟槽的平整度偏差值；将所述分离栅沟槽的平整度偏差值及所述栅极沟槽的平整度偏差值，输入至预设支持向量机模型进行良率预测，得到良率预测结果；输出良率预测结果。采用上述方案，可以预测分离栅沟槽型器件的良率。
主权项：1.一种分离栅沟槽型器件的良率预测方法，所述分离栅沟槽型器件包括分离栅沟槽及栅极沟槽，所述分离栅沟槽用于形成屏蔽栅，所述栅极沟槽用于形成控制栅；其特征在于，所述方法包括：获取所述分离栅沟槽的平整度偏差值及所述栅极沟槽的平整度偏差值；将所述分离栅沟槽的平整度偏差值及所述栅极沟槽的平整度偏差值，输入至预设支持向量机模型进行良率预测，得到良率预测结果；输出良率预测结果。
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百度查询： 浙江创芯集成电路有限公司 沟槽型器件的良率预测方法、装置及存储介质、设备
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