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申请/专利权人:西安理工大学
摘要:本发明公开了CdS纳米棒致密包覆碳布压电光催化材料及其制备方法,具体过程为:步骤1,对碳布表面进行活化处理;步骤2,将步骤1处理后的碳布在CdO溶胶中浸渍处理,再离心、干燥后,得到CdO凝胶层包覆的碳布;步骤3,采用深紫外光辐照降解结合热处理工艺对步骤2得到的CdO凝胶层包覆的碳布进行处理,得到CdO陶瓷层包覆的碳布;步骤4,采用水热法在步骤3得到的CdO陶瓷层包覆的碳布上沉积CdS纳米棒,得到CdS纳米棒致密包覆的碳压电光催化材料。本发明光催化材料具有优异的光催化降解性能、压电光催化降解性能、吸附脱附能力和循环使用性能,而且回收方便。
主权项:1.CdS纳米棒致密包覆碳布压电光催化材料的制备方法,其特征在于,具体按照以下步骤实施:步骤1,对碳布表面进行活化处理;步骤2,将步骤1处理后的碳布在CdO溶胶中浸渍处理,再离心、干燥后,得到CdO凝胶层包覆的碳布;步骤3,采用深紫外光辐照降解结合热处理工艺对步骤2得到的CdO凝胶层包覆的碳布进行处理,得到CdO陶瓷层包覆的碳布;步骤4,采用水热法在步骤3得到的CdO陶瓷层包覆的碳布上沉积CdS纳米棒,得到CdS纳米棒致密包覆的碳压电光催化材料。
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百度查询: 西安理工大学 CdS纳米棒致密包覆碳布压电光催化材料及其制备方法
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