Document
拖动滑块完成拼图
首页 专利交易 科技果 科技人才 科技服务 国际服务 商标交易 会员权益 IP管家助手 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索

CdS纳米棒致密包覆碳布压电光催化材料及其制备方法 

买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!

申请/专利权人:西安理工大学

摘要:本发明公开了CdS纳米棒致密包覆碳布压电光催化材料及其制备方法,具体过程为:步骤1,对碳布表面进行活化处理;步骤2,将步骤1处理后的碳布在CdO溶胶中浸渍处理,再离心、干燥后,得到CdO凝胶层包覆的碳布;步骤3,采用深紫外光辐照降解结合热处理工艺对步骤2得到的CdO凝胶层包覆的碳布进行处理,得到CdO陶瓷层包覆的碳布;步骤4,采用水热法在步骤3得到的CdO陶瓷层包覆的碳布上沉积CdS纳米棒,得到CdS纳米棒致密包覆的碳压电光催化材料。本发明光催化材料具有优异的光催化降解性能、压电光催化降解性能、吸附脱附能力和循环使用性能,而且回收方便。

主权项:1.CdS纳米棒致密包覆碳布压电光催化材料的制备方法,其特征在于,具体按照以下步骤实施:步骤1,对碳布表面进行活化处理;步骤2,将步骤1处理后的碳布在CdO溶胶中浸渍处理,再离心、干燥后,得到CdO凝胶层包覆的碳布;步骤3,采用深紫外光辐照降解结合热处理工艺对步骤2得到的CdO凝胶层包覆的碳布进行处理,得到CdO陶瓷层包覆的碳布;步骤4,采用水热法在步骤3得到的CdO陶瓷层包覆的碳布上沉积CdS纳米棒,得到CdS纳米棒致密包覆的碳压电光催化材料。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 西安理工大学 CdS纳米棒致密包覆碳布压电光催化材料及其制备方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。