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申请/专利权人：北京空间机电研究所
摘要：本发明涉及一种大满阱TDI‑CMOS像元结构，属于CMOS图像传感器领域；包括6个CCD电极、4个列间隔离和3个CCD沟道；其中，4个列间隔离和3个CCD沟道均为长方体结构；4个列间隔离和3个CCD沟道交错相邻设置，形成长方体底座；6个CCD电极等间距均匀设置在长方体底座的上表面，且CCD电极的轴向与列间隔离和CCD沟道的轴向垂直；本发明适用于CCD‑CMOS融合型TDI图像传感器，尤其可在不影响电压摆幅、电荷传输效率、抗弥散能力的前提下，增加满阱容量性能。
主权项：1.一种大满阱TDI-CMOS像元结构，其特征在于：包括6个CCD电极（1）、4个列间隔离（2）和3个CCD沟道（3）；其中，4个列间隔离（2）和3个CCD沟道（3）均为长方体结构；4个列间隔离（2）和3个CCD沟道（3）交错相邻设置，形成长方体底座；6个CCD电极（1）等间距均匀设置在长方体底座的上表面，且CCD电极（1）的轴向与列间隔离（2）和CCD沟道（3）的轴向垂直。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京空间机电研究所 一种大满阱TDI-CMOS像元结构
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