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应用于ADB的LED大灯及其制备方法 

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申请/专利权人:晶能光电股份有限公司

摘要:本发明提供了应用于ADB的LED大灯及其制备方法,LED大灯包括具备反射性能的金属隔离件,于第一反射胶层表面、嵌入LED芯片表面光转换层之间的隔离槽中,且金属隔离件的上表面不高于光转换层的上表面,光转换层的上表面为远离LED芯片发光上面的一侧表面。有利于解决更小间距下的串光问题,且制备工艺简单,相对于ALD侧面镀膜的方案来说,本工艺更加简单高效,有利于更快地实现批量化生产,从而提高生产效率和降低成本。

主权项:1.一种应用于ADB的LED大灯,其特征在于,包括:以预先设定的间距阵列排布、并固定于布线基板表面的多颗LED芯片;各LED芯片具有发光上面和发光侧面,与发光上面相对的表面还设有芯片电极,且所述LED芯片的发光上面朝上配置;于布线基板表面、填充于LED芯片之间的第一反射胶层,所述第一反射胶层的上表面不高于LED芯片发光上面所在的平面,所述第一反射胶层的上表面为远离芯片电极的一侧表面;形成于各LED芯片表面的光转换层,所述光转换层至少覆盖对应LED芯片的发光上面,且至少于相邻LED芯片表面的光转换层之间形成有隔离槽,露出LED芯片之间第一反射胶层的上表面;具备反射性能的金属隔离件,嵌入于第一反射胶层表面、LED芯片表面光转换层之间的隔离槽中,且所述金属隔离件的上表面不高于所述光转换层的上表面,所述光转换层的上表面为远离LED芯片发光上面的一侧表面。

全文数据:

权利要求:

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