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申请/专利权人：朗姆研究公司
摘要：公开了通过以下方式在衬底上相对于介电材料而在暴露金属表面上选择性沉积金属氧化物的系统和方法：在利用抑制剂的金属表面的抑制之前，利用产生羟基物质的等离子体进行预处理，随后金属氧化物沉积在介电材料上。示例性抑制剂包括低蒸气压抑制剂。示例性系统包括被加热的安瓿、以及用于输送抑制剂或其它处理化学品的气体管线。
主权项：1.一种在衬底上相对于介电材料而在暴露金属表面上进行选择性金属氧化物沉积的方法，所述方法包括下列步骤：a提供包括所述介电材料和所述暴露金属表面的所述衬底；b使所述衬底与等离子体接触，所述等离子体由含氢源和含氧源产生以产生羟基物质，其中所述羟基物质与所述介电材料进行反应以形成羟基封端的介电材料并且与所述暴露金属表面进行反应以形成氧化的金属表面；c使所述氧化的金属表面和所述羟基封端的介电材料暴露于沉积抑制剂，所述沉积抑制剂选择性地使所述氧化的金属表面改性，从而形成被抑制的金属表面；以及接着d在所述衬底上相对于所述被抑制的金属表面而在所述羟基封端的介电材料上选择性地沉积金属氧化物。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 朗姆研究公司 选择性沉积的方法和化学品输送系统
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