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申请/专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要：本发明涉及一种防电流倒灌电路结构，包括反相器和测试开关通路，所述测试开关通路相比于现有技术改变了开关管MP1、开关管MP2、开关管MP3、开关管MN1、开关管MN2的衬底电压和开关管MP1的源端，通过上述改变即可实现防止电流倒灌的功能。本发明还在反相器中增加了二极管连接方式的开关管，通过增加该开关管可以防止反相器衬底寄生PN结的漏电。
主权项：1.一种防电流倒灌电路结构，包括反相器和测试开关通路，所述反相器的输入端与使能信号EN_test相连，其特征在于，所述测试开关通路包括开关管MP1、开关管MP2、开关管MP3、开关管MN1、开关管MN2、开关管MN3以及传输门T1，所述开关管MP1的栅端与使能信号EN_test相连，源端与反相器的输出端相连，漏端与所述开关管MP2的源端相连；所述开关管MP2的栅端与所述反相器的输出端相连，源端与所述开关管MP3的源端相连，漏端与测试节点相连；所述开关管MP3的栅端与所述反相器的输出端相连，漏端与所述测试开关通路的PAD相连；所述开关管MN1的栅端与所述反相器的输出端相连，源端接地，漏端与所述开关管MN2的源端相连；所述开关管MN2的栅端与使能信号EN_test相连，源端与所述开关管MN3的源端相连，漏端与测试节点相连；所述开关管MN3的栅端与使能信号EN_test相连，漏端与所述测试开关通路的PAD相连；所述传输门T1的输入端与所述测试开关通路的PAD相连，输出端与内部电路相连，控制端与反相器的输出端相连，互补控制端与所述使能信号EN_test相连；所述开关管MP1的衬底端、所述开关管MP2的衬底端和所述开关管MP3的衬底端均连接至所述开关管MP1的漏端；所述开关管MN1的衬底端接地；所述开关管MN2的衬底端和所述开关管MN3的衬底端均连接至所述开关管MN1的漏端。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种防电流倒灌电路结构
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