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申请/专利权人：株式会社半导体能源研究所
摘要：提供一种能够实现微型化或高集成化的半导体装置。该半导体装置包括第一存储单元、第一存储单元上的第二存储单元、第一导电体、第一导电体上的第二导电体。第一存储单元及第二存储单元分别包括晶体管及电容器。晶体管的源极和漏极中的一个与电容器的下部电极电连接。第一导电体具有与第一存储单元中的晶体管的源极和漏极中的另一个接触的部分，第一导电体的顶面具有与第二导电体的底面接触的部分，第二导电体具有与第二存储单元中的晶体管的源极和漏极中的另一个接触的部分。
主权项：1.一种半导体装置，包括：第一存储单元；所述第一存储单元上的第二存储单元；第一导电体；以及所述第一导电体上的第二导电体，其中，所述第一存储单元及所述第二存储单元分别包括晶体管、电容器、第一绝缘体及第二绝缘体，所述晶体管包括所述第一绝缘体上的金属氧化物、所述金属氧化物上的第三导电体、第四导电体、第三绝缘体、所述第三绝缘体上的第五导电体，所述电容器包括第六导电体、所述第六导电体上的第四绝缘体、所述第四绝缘体上的第七导电体，所述第二绝缘体位于所述晶体管上，所述第六导电体、所述第四绝缘体和所述第七导电体重叠的部分位于所述第二绝缘体上，通过设置在所述第二绝缘体中的开口所述第三导电体与所述第六导电体电连接，所述第一导电体具有与所述第一存储单元中的所述第四导电体接触的部分，所述第一导电体的顶面具有与所述第二导电体的底面接触的部分，并且，所述第二导电体具有与所述第二存储单元中的所述第四导电体接触的部分。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
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