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申请/专利权人：杭州欧光芯科技有限公司

摘要：本发明公开了一种纳米孔局部亲疏水性修饰的方法。其工艺为：在基片表面形成一层牺牲层；在牺牲层上形成具有纳米孔阵列结构的图形转移层；去除残余层；在牺牲层制备具有纳米孔阵列结构的牺牲层；在基片上制备具有纳米孔阵列结构的基片；纳米孔阵列结构的亲水性修饰；去除牺牲层。本发明制备的具有纳米孔阵列结构的基片中的纳米孔具有超亲水性，凸起的基片表面具有疏水性，实现了同一纳米孔基片具有不同的亲疏水性，避免了基片表面残留物质对纳米孔内标记的影响，提高了纳米孔基片捕获能力和检测的准确性。

主权项：1.一种纳米孔局部亲疏水性修饰的方法，其特征在于：包括以下具体步骤：步骤1，牺牲层的制备：在基片1的上表面制备一层牺牲层3；步骤2，纳米孔阵列结构的制备：在牺牲层3的上表面旋涂一层纳米压印胶作为图形转移层5，通过纳米压印工艺将PET模板7上的纳米孔阵列结构复制到图形转移层5的表面，使得图形转移层5的表面形成纳米孔阵列结构，进而在牺牲层3的上表面制备一层具有纳米孔阵列结构的图形转移层5；具有纳米孔阵列结构的图形转移层5包括凹陷的若干个纳米孔、每个纳米孔底部的残余层以及相邻纳米孔之间的图形转移纳米凸起；步骤3，残余层的去除：通过刻蚀工艺，将步骤2获得的图形转移层5中的残余层去除，使纳米孔处的牺牲层3的表面被暴露出来，每个纳米孔的底部均为牺牲层3的表面；步骤4，纳米孔阵列复制转移的制备：先将纳米孔阵列结构转移到牺牲层3上以制备具有纳米孔阵列结构的牺牲层3，再将具有纳米孔阵列结构的牺牲层3转移到基片1上以制备具有纳米孔阵列结构的基片1，其中，具有纳米孔阵列结构的牺牲层3包括凹陷的若干个纳米孔和相邻纳米孔之间的牺牲纳米凸起，具有纳米孔阵列结构的牺牲层3上还残留有未被刻蚀完的图形转移纳米凸起；具有纳米孔阵列结构的基片1包括凹陷的若干个纳米孔和相邻纳米孔之间的基片纳米凸起，具有纳米孔阵列结构的基片1上还残留有未被刻蚀完的牺牲纳米凸起；所述步骤4中，具体包括以下两个步骤：步骤4-1：制备具有纳米孔阵列结构的牺牲层3：采用离子束溅射IBE工艺对具有纳米孔阵列结构的图形转移层5中的图形转移纳米凸起和步骤3中暴露出来的牺牲层3进行刻蚀，直至刻蚀到纳米孔下方的基片1被暴露出来，使得牺牲层3上形成纳米孔阵列结构，从而在基片1上表面制备一层具有纳米孔阵列结构的牺牲层3；具有纳米孔阵列结构的牺牲层3包括凹陷的若干个纳米孔和相邻纳米孔之间的牺牲纳米凸起，具有纳米孔阵列结构的牺牲层3上还残留有未被刻蚀完的图形转移纳米凸起；步骤4-2：制备具有纳米孔阵列结构的基片1：采用电感耦合ICP刻蚀工艺对未被刻蚀完的图形转移纳米凸起、牺牲纳米凸起和被暴露出来的基片1进行刻蚀，直至过刻纳米孔阵列结构到基片1上，图形转移纳米凸起被完全刻蚀掉，在基片1上形成纳米孔阵列结构，具有纳米孔阵列结构的基片1包括凹陷的若干个纳米孔和相邻纳米孔之间的基片纳米凸起，具有纳米孔阵列结构的基片1上还残留有未被刻蚀完的牺牲纳米凸起；步骤5，纳米孔阵列结构的亲水性修饰：对基片1上的纳米孔阵列结构中的每个纳米孔以及基片1上残留的未被刻蚀完的牺牲纳米凸起作亲水性处理，最终在每个纳米孔的底部、每个纳米孔的侧壁以及未被刻蚀完的牺牲纳米凸起的上表面均形成一层亲水层9；所述步骤5中，亲水性处理包括亲水预处理、超亲水膜成型处理和超亲水膜改性处理，具体如下：亲水预处理：通过旋涂工艺，对基片1上的纳米孔阵列结构中的每个纳米孔以及未被刻蚀完的牺牲纳米凸起的上表面进行纳米亲水涂料的涂覆；超亲水膜成型处理：通过沉积工艺对进行亲水预处理后的基片1上的纳米孔阵列结构中的每个纳米孔以及未被刻蚀完的牺牲纳米凸起的上表面均沉积一层TiO2纳米硅亲水膜作为亲水层9；超亲水膜改性处理：对进行超亲水膜成型处理后的基片1上的纳米孔阵列结构中的每个纳米孔以及未被刻蚀完的牺牲纳米凸起的上表面进行后端光催化和退火处理；步骤6，牺牲层的去除：通过清洗工艺将基片1上未被刻蚀完的牺牲纳米凸起以及未被刻蚀完的牺牲纳米凸起上表面的亲水层9去除，每个纳米孔的底部、每个纳米孔的侧壁的亲水层9保留，使未被刻蚀完的牺牲纳米凸起下的基片纳米凸起的表面露出来，进而使得基片1上的纳米孔阵列结构中的每个纳米孔具有亲水性，每个基片纳米凸起的表面具有疏水性。

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