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一种抑制氧气逸出的基于氧空位导电丝的阻变存储器及其制备方法 

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申请/专利权人:南京邮电大学

摘要:本发明公开了一种抑制氧气逸出的基于氧空位导电丝的阻变存储器及其制备方法,该存储器的结构由下至上依次包括基底、底电极、功能层和顶电极;其中,所述功能层由壳聚糖层和氧化铝层组成,所述壳聚糖层是将壳聚糖溶液旋涂在底电极上制备形成的薄膜,所述壳聚糖溶液为脱乙酰度≥95%的壳聚糖溶于2%的乙酸形成;所述氧化铝层是由三甲基铝和水反应生成氢氧化铝随后分解形成。本发明通过ALD法在壳聚糖层上沉积氧化铝层,抑制了壳聚糖层中在形成氧空位导电丝后,从顶电极逸出的氧气,实现了存储器件的低操作电压、高开关比,提升了稳定性,获得了可多次读写擦循环的阻变存储器器件。

主权项:1.一种抑制氧气逸出的基于氧空位导电丝的阻变存储器,其特征在于,所述存储器的结构由下至上依次包括基底、底电极、功能层和顶电极;其中,所述功能层由壳聚糖层和氧化铝层组成,所述壳聚糖层是将壳聚糖溶液旋涂在底电极上制备形成的薄膜,所述壳聚糖溶液为脱乙酰度≥95%的壳聚糖溶于2%的乙酸形成;所述氧化铝层是由三甲基铝和水反应生成氢氧化铝随后分解形成;所述基底的材料为玻璃;所述底电极的材料为氧化铟锡;所述顶电极的材料为金属Al;所述阻变存储器的制备方法,包括以下步骤:步骤1)在基底表面生长一层底电极,并依次经过ITO清洗剂、超纯水超声清洗并烘干;步骤2)将步骤1)烘干的样品进行紫外臭氧处理10~15min;步骤3)使用移液枪将壳聚糖溶液在经步骤2)处理的样品上旋涂,常温退火12h,即得壳聚糖层;步骤4)将经步骤3)处理的样品放入原子层沉积系统中,系统加热至150℃,通入三甲基铝和水汽,在样品表面生成氢氧化铝,随后分解成氧化铝,即得氧化铝层;步骤5)将经步骤4)处理的样品放进真空蒸镀系统中,抽真空至腔内压力低于5×10-4Pa后,开始真空蒸镀顶电极;步骤6)蒸镀结束后,保持该真空状态待顶电极冷却至室温,即得到所述抑制氧气逸出的基于氧空位导电丝的阻变存储器。

全文数据:

权利要求:

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