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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
摘要：本申请提供一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，用于解决晶体管的源漏极与沟道的接触电阻大的技术问题，该制备方法通过在第一子源极和第一子漏极的部分主表面上形成IGZO层，且IGZO层覆盖第一子源极和第一子漏极之间的区域，之后在IGZO层上形成栅极，第一子源极和第一子漏极分别位于栅极的相对两侧，并在栅极相对两侧的IGZO层的至少部分主表面上分别形成第二子源极和第二子漏极，第二子源极和第一子源极位于同一侧且与第一子源极连接，以共同形成源极，第二子漏极和第一子漏极位于同一侧且与第一子漏极连接，以共同形成漏极，从而增大源极和漏极分别与IGZO层的接触面积，降低接触电阻，提升半导体器件的性能。
主权项：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成有间隔设置的第一子源极和第一子漏极；在所述第一子源极和所述第一子漏极的部分主表面上形成IGZO层，且IGZO层覆盖所述第一子源极和所述第一子漏极之间的区域；在所述IGZO层的上方形成栅极，所述第一子源极和所述第一子漏极分别位于所述栅极的相对两侧；在所述栅极相对两侧的所述IGZO层的至少部分主表面上分别形成第二子源极和第二子漏极，所述第二子源极和所述第一子源极位于同一侧且与所述第一子源极连接，以共同形成源极；所述第二子漏极和所述第一子漏极位于同一侧且与所述第一子漏极连接，以共同形成漏极；其中，所述源极、所述漏极、所述栅极和所述IGZO层共同形成IGZO晶体管。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体结构及其制备方法
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