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申请/专利权人：西安理工大学
摘要：本发明公开的具有圆环相位调制的动态全息成像透射器件及其制备方法，具体涉及半导体材料以及器件制造，包括：选取Ge基片和蓝宝石衬底，将Ge基片和蓝宝石衬底键合形成Ge基衬底；刻蚀Ge基衬底顶层形成有源区沟槽，对有源区沟槽进行处理形成有源区，Ge基衬底表面淀积二氧化硅层，随后进行光刻导电沟桥图形，溅射金属合金化形呈导电沟桥；Ge基衬底进行收尾工艺，对收尾工艺后得到的Ge基衬底设置具有透射相位调制功能的金属圆环区域，完成具有圆环相位调制的动态全息成像透射器件的制备。本发明能够制备并提供适用于形成高性能自适应动态全息成像透射器件。
主权项：1.具有圆环相位调制的动态全息成像透射器件的制备方法，其特征在于，包括以下具体步骤：S1：选取Ge基片和蓝宝石衬底，将Ge基片和蓝宝石衬底键合形成Ge基衬底；S2：刻蚀Ge基衬底顶层形成有源区沟槽，对有源区沟槽进行处理形成有源区；S3：在经过S2处理后的Ge基衬底表面淀积二氧化硅层，随后进行光刻导电沟桥图形，溅射金属合金化形呈导电沟桥；S4：对经过S3处理后的Ge基衬底进行收尾工艺，对收尾工艺后得到的Ge基衬底设置具有透射相位调制功能的金属圆环区域，完成具有圆环相位调制的动态全息成像透射器件的制备。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安理工大学 具有圆环相位调制的透射器件的制备方法及透射器件
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