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申请/专利权人：浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司;珠海富山爱旭太阳能科技有限公司
摘要：本申请提供了一种单晶硅临界生长速度的确定方法、确定装置和电子设备，该方法包括：在单晶硅满足第一预设条件的情况下，向磁场发生装置发送控制信号，以将单晶硅置于磁场发生装置产生的磁场中，第一预设条件包括以下之一：单晶硅在生长系统中处于生长状态且未达到等径生长状态的情况和单晶硅在生长系统中进入等径生长时的情况；至少根据磁场的强度，确定单晶硅的临界生长速度，通过该确定方法确定得到的单晶硅临界生长速度相比于现有技术中仅凭借经验判断的速率更加准确，且节省了人力和时间。
主权项：1.一种单晶硅临界生长速度的确定方法，其特征在于，包括以下步骤：在单晶硅满足第一预设条件的情况下，向磁场发生装置发送控制信号，以将所述单晶硅置于所述磁场发生装置产生的磁场中，所述第一预设条件包括以下之一：所述单晶硅在生长系统中处于生长状态且未达到等径生长状态的情况和所述单晶硅在所述生长系统中进入等径生长时的情况；至少根据所述磁场的强度，确定所述单晶硅的临界生长速度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江爱旭太阳能科技有限公司 广东爱旭科技有限公司 天津爱旭太阳能科技有限公司 珠海富山爱旭太阳能科技有限公司 单晶硅临界生长速度的确定方法、确定装置和电子设备
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