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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：本申请涉及自对准双图案化。一种方法包括图案化目标层之上的芯轴层以形成第一芯轴和第二芯轴，第一芯轴的宽度大于第二芯轴的宽度。间隔件层形成在第一芯轴和第二芯轴之上并被修改而使得第一芯轴之上的间隔件层的厚度大于第二芯轴之上的间隔件层的厚度。从间隔件层形成间隔件，这些间隔件与第一芯轴相邻的宽度大于与第二芯轴相邻的间隔件。使用间隔件来蚀刻目标层。
主权项：1.一种用于形成半导体器件的方法，包括：图案化目标层之上的第一芯轴层以形成第一芯轴和第二芯轴，所述第一芯轴的宽度大于所述第二芯轴的宽度；在所述第一芯轴和所述第二芯轴之上沉积间隔件层；在所述间隔件层和所述第一芯轴之上形成掩模层；使所述第二芯轴之上的所述间隔件层变薄；去除所述掩模层；蚀刻所述间隔件层以形成间隔件蚀刻掩模，所述间隔件蚀刻掩模包括与所述第一芯轴的侧壁接触的第一间隔件以及与所述第二芯轴的侧壁接触的第二间隔件，所述第一间隔件的宽度大于所述第二间隔件的宽度；以及基于所述间隔件蚀刻掩模来蚀刻所述目标层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 自对准双图案化
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