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申请/专利权人：默司科技股份有限公司
摘要：本发明实施例提出一种智能光掩膜及其光刻设备、光刻方法和光刻图案形成方法。所述智能光掩膜包括底板、多个第一微型发光二极管组件以及保护层。所述多个第一微型发光二极管组件以阵列排列设置于与传统光掩膜之尺寸一致的底板上，以基于从所述底板上的线路接收到的控制信号决定发光状态，藉以定义光刻图案。保护层覆盖于所述多个微型发光二极管组件的至少其中之一或多个上。所述多个第一微型发光二极管组件的尺寸和组件间距被设计为符合光刻制程之线宽要求，因此所述智能光掩膜尺寸可符合光刻设备之光掩膜夹持部件要求。
主权项：1.一种可调整图案的智能光掩膜，包括：底板；多个第一微型发光二极管组件micro-LED，以阵列排列设置于所述底板上；以及保护层，覆盖于所述多个第一微型发光二极管组件的至少其中之一或多个上，其中，所述多个第一微型发光二极管组件至少其中之一的尺寸介于0.1微米至100微米之间，并且所述多个第一微型发光二极管组件至少其中两相邻的第一微型发光二极管组件之间的间距介于0.01微米至20微米之间，其中，所述多个第一微型发光二极管组件基于从所述底板上的线路接收到的控制信号决定发光状态，藉以定义光刻图案，其中，所述多个第一微型发光二极管组件分为多个光刻单元区域，并且所述多个光刻单元区域至少其中之一包括以x*y阵列排列的多个所述第一微型发光二极管组件，其中x、y为自然数，其中，当所述其中之一光刻单元区域中有z个所述第一微型发光二极管组件处于无法正常工作状态时，所述其中之一光刻单元区域中其余处于正常工作状态的所述第一微型发光二极管组件中至少其中之一的发光状态被调整以补偿所述z个无法正常工作的第一微型发光二极管组件，其中z为自然数，且zx*y，其中所述底板具有第一区域以及第二区域，所述多个第一微型发光二极管组件设置于所述第一区域内，所述智能光掩膜更包括：多个第二微型发光二极管组件micro-LED，设置于所述底板的第二区域，并且用以经控制而显示对位图案，其中，所述第一区域包括所述底板的中心区域，并且所述第二区域包括所述底板的外围区域。
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百度查询： 默司科技股份有限公司 智能光掩膜及其光刻设备、光刻方法和光刻图案形成方法
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