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申请/专利权人：西安工程大学
摘要：一种SiCMOSFET模块连续可调多等级驱动电路，包括控制单元；所述控制单元分别连接有多等级驱动电路和连续可调驱动电源，所述多等级驱动电路连接有功率单元；连续可调多等级驱动电路包括四个NMOS开关管，四个PMOS开关管以及四个连续可调驱动电源Vqd1、Vqd2、Vqd3、Vqd4组合实现驱动电压电阻连续可调。本发明栅极驱动器除了隔离传输和功率放大作用外，其还具备减小反向恢复电流尖峰、降低关断过电压、减小器件开关损耗以及开通关断时间。
主权项：1.一种SiCMOSFET模块连续可调多等级驱动电路，其特征在于，包括控制单元；所述控制单元分别连接有多等级驱动电路和四个连续可调驱动电源Vqd1、Vqd2、Vqd3、Vqd4，所述多等级驱动电路连接有功率单元；所述多等级驱动电路分别包括与SICMOSFET栅极连接的三个桥臂，与SICMOSFET源极连接的1个桥臂；所述每个桥臂包括两个开关管，上开关管采用PMOS开关管，下开关管采用NMOS开关管；所述与SICMOSFET栅极连接的三个桥臂，其桥臂的上开关管Q1-Q3的漏极分别与连续可调驱动电源Vqd1、Vqd2、Vqd3连接，上开关管Q1-Q3的源极分别通过电阻RGon1-RGon3与SICMOSFET的栅极连接，其桥臂的下开关管Q4-Q6的源极接地，下开关管Q4-Q6的漏极分别通过电阻RGoff1-RGoff3与功率单元的栅极连接；所述与SICMOSFET源极连接的桥臂中，上开关管Q7的漏极与连续可调驱动电源Vqd4连接，其桥臂的下开关管Q8的源极接地，上开关管的源极与下开关管的漏极连接，并与SICMOSFET的源极连接；所述连续可调驱动电源包括电压设定模块，电压设定模块连接有控制电路，控制电路通过驱动信号连接主电路，主电路的直流电压输出端并联接有采样电路，采样电路输入直流电压给压频转换电路，压频转换电路通过光纤连接有频压转换电路，频压转换电路连接控制电路。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安工程大学 一种SiC MOSFET模块连续可调多等级驱动电路
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