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申请/专利权人：信越半导体株式会社
摘要：本发明提供一种多晶硅晶圆的制造方法，其为在硅单晶基板上成膜有多晶硅层的多晶硅晶圆的制造方法，其特征在于，具有：1利用CVD法，以1000℃以下的温度在硅单晶基板上成膜第一多晶硅层的工序；2利用CVD法，以高于1000℃的温度在所述第一多晶硅层上成膜第二多晶硅层的工序，并且在所述工序1中，将所成膜的所述第一多晶硅层的面内膜厚分布的值%控制在预先规定的范围内，且使所述预先规定的范围的最大值%与最小值%之差为5.2%以内。由此，提供一种即使成膜装置或腔室不同，也能够降低微小的晶圆形状的偏差从而再现性良好地制造多晶硅晶圆的多晶硅晶圆的制造方法。
主权项：1.一种多晶硅晶圆的制造方法，其为在硅单晶基板上成膜有多晶硅层的多晶硅晶圆的制造方法，其特征在于，具有：1利用CVD法，以1000℃以下的温度在硅单晶基板上成膜第一多晶硅层的工序；2利用CVD法，以高于1000℃的温度在所述第一多晶硅层上成膜第二多晶硅层的工序，并且在所述工序1中，将所成膜的所述第一多晶硅层的面内膜厚分布的值%控制在预先规定的范围内，且使所述预先规定的范围的最大值%与最小值%之差为5.2%以内。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 信越半导体株式会社 多晶硅晶圆的制造方法
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