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申请/专利权人：浙江奥首材料科技有限公司
摘要：本发明涉及一种两亲性离子液体，及包含其的多晶硅蚀刻液、制备方法及应用。该离子液体既具有亲水的多羟基基团，还具有疏水的多氟基团。所述多晶硅蚀刻液，组分中包含两亲性离子液体、氢氟酸、氧化性酸和超纯水。本发明蚀刻液在多次循环过滤过程中，蚀刻液表面张力与蚀刻性能无明显差异，具有优异的使用寿命，且对多晶硅与氧化硅叠层具有优异的蚀刻选择比，可应用在3D闪存芯片多晶硅蚀刻领域。
主权项：1.一种两亲性离子液体，其特征在于，所述两亲性离子液体为下式I化合物： 其中，R1、R2、R3、R4独立地选自羟基、带有羟基的C1-C6支链或直链烷基、带有羟基的C2-C6烯基、带有羟基的C3-C6环烷基或带有羟基的C6-C10芳基，n1、n2、n3、n4可以相同或不同，为2-8的任意整数。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江奥首材料科技有限公司 两亲性离子液体，及包含其的多晶硅蚀刻液、制备方法及应用
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