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申请/专利权人：厦门韫茂科技有限公司
摘要：本发明提供了一种模拟ALD工艺过程的方法及可模拟ALD工艺过程的系统，涉及半导体设备技术领域。通过在计算机商业软件Ansys‑workbench‑fluent上构建ALD工艺过程的模型，进行仿真计算，根据进行多次定量计算后得到理论上最优的工艺参数，用来指导实际操作调试。通过本方案，因此可以大幅度降低设备的调试成本、提高工艺技术人员的工作效率。
主权项：1.一种模拟ALD工艺过程的方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、将ALD设备的反应腔室三维模型导入到fluent软件的Geometry模块，进行计算流体域抽取；S2、在mesh里将流体域进行六面体网格划分，优化网格数量并对局部的精细结构进行加密细化处理，利用skewness\aspectratio评价网格质量；S3、脉冲和吹扫过程按照实际分别分成为瞬态和稳态；判断流体状态，在fluent软件的setup模块选择合适的模型并添加目标ALD工艺所涉及的所有化学成分，在组分运输模型里添加壁面化学反应，并详细设置边界条件、化学反应方程式和反应动力学参数等，进行定量实验；在一个独立的ALD循环上分别进行稳态和瞬态的迭代计算，迭代计算结果如果收敛，即说明计算成功；如果发散，则需优化网格质量或调整合适的边界条件后再次计算直至计算结果收敛；S4、将计算结果导入CFD-post软件上进行后处理，以得到脉冲前稳态吹扫过程的气流流场的流线图、脉冲前的稳态吹扫过程压力云图、瞬态脉冲过程化学成分的浓度分布、瞬态脉冲后的吹扫浓度分布图、瞬态化学反应晶圆表面官能团吸附分布图以及生成过程动画，根据获得的数据图判别进行模拟结果。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 厦门韫茂科技有限公司 模拟ALD工艺过程的方法及可模拟ALD工艺过程的系统
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