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申请/专利权人：普乐新能源科技(泰兴)有限公司
摘要：本发明涉及一种优异的ALD镀膜工艺，使用TMA+H2O+O3作为生长源，在基片上生长氧化铝膜层，与现有技术中以TMA+O3或TMA+H2O为生长源生长氧化铝膜层相比，不仅保留了TMA+H2O生长速率快的特点；而且在生长过程中O3作为辅助源通入腔体，O3能够与薄膜中‑CH3发生反应，最终反应为H2O+CO2，并通过吹扫气体吹扫带出，从而可以有效降低膜层电阻率，改善钝化作用，进而提升电池的转换效率；同时本发明的工艺可以在同一腔室中反应实现，具有操作简单，成本低的优点。
主权项：1.一种优异的ALD镀膜工艺，其特征在于：该工艺以TMA+H2O+O3作为生长源，在基片上生长氧化铝膜层；采用该工艺在基片上生长氧化铝膜层的步骤为：1将生长基片送入沉积设备的腔体内，并控制腔体温度为210℃；2采用交替脉冲的方式以TMA+H2O为生长源在生长基片表面生长氧化铝；每一个循环中气体通入的顺序为TMA气体、吹扫气体、H2O蒸发气体、吹扫气体；3每一个循环结束后或若干个循环结束后，将辅助气体O3通入腔体内，最后再通入吹扫气体进行吹扫TMA；在生长过程中O3作为辅助源通入腔体，O3能够与薄膜中-CH3发生反应，最终反应为H2O+CO2，并通过吹扫气体吹扫带出；步骤2的每一个循环中TMA的流量为18sccm，脉冲时长为2.5s，吹扫时长为7s；步骤2的每一个循环中H2O的流量为18sccm，脉冲时长为6s，吹扫时长为8s；步骤3中O3流量为12sccm，脉冲时长为6s。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 普乐新能源科技(泰兴)有限公司 一种优异的ALD镀膜工艺
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