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申请/专利权人：南阳师范学院
摘要：本发明公开了高配位镝单离子磁体及其制备方法和应用，所述单离子磁体的结构简式为：[DyH3LC9H6NO]BPh42，与现有技术相比，本发明具有以下优点：1本发明所述镝单离子磁体纯度和产率都较高，在零场和外加磁场下都能表现出典型的慢弛豫行为，具有单离子磁体特征，可作为分子基磁性材料在新型高密度信息存储设备如光盘、硬磁盘等使用；2所述镝单离子磁体在空气中不风化，稳定性好；3所述方法工艺安全简单，可控性高，重现性好。
主权项：1.高配位镝单离子磁体，其特征在于，所述单离子磁体的结构简式为：[DyH3LC9H6NO]BPh42，其中H3L的化学结构式为： C9H6NO的结构式为：
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南阳师范学院 高配位镝单离子磁体及其制备方法和应用
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