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申请/专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
摘要：本发明公开了一种离子源中和器、离子收集极和半导体加工设备，离子收集极从电离腔室的第一端如顶部向电离腔室的第二端如底部延伸，且离子收集极包括朝向电离腔室的侧壁凸出的凸起结构，从而可以通过增加凸起结构增大离子收集极的表面积，进而可以增强离子收集极的离子收集能力，进而可以提高离子源中和器的寿命和性能。
主权项：1.一种离子源中和器，其特征在于，包括：电离腔室；设于所述电离腔室内部的离子收集极；所述离子收集极从所述电离腔室的第一端向所述电离腔室的第二端延伸，且所述离子收集极包括朝向所述电离腔室的侧壁凸出的凸起结构，所述第一端与所述第二端相对设置，所述侧壁位于所述第一端与所述第二端之间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京北方华创微电子装备有限公司 一种离子源中和器、离子收集极和半导体加工设备
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