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申请/专利权人：西北核技术研究所
摘要：本发明涉及一种延时计算方法，具体涉及一种统计时延的计算方法，解决现有技术无法有效且准确获得气体开关统计时延的技术问题。本发明一种统计时延的计算方法，包括以下步骤：1】建立气体开关三维几何模型；2】计算电场强度；3】计算由自然辐射引起的阴极表面单位面积初始电子产生速率n0；4】计算由场致发射引起的阴极表面单位面积初始电子产生速率nf；5】计算光电发射系数γ、光子发射系数αs和吸收系数μ；6】计算由预电离引起的单位面积初始电子产生速率np；7】计算有效初始电子产生概率sj；8】计算t时刻产生有效初始电子的概率Ft：9】计算统计时延Te和抖动σ；该方法使得计算模型更全面。
主权项：1.一种统计时延的计算方法，其特征在于，包括以下步骤：1】建立气体开关三维几何模型，将气体开关间隙划分为n个子区域，再将气体开关放电过程所需时间T均匀离散为m个时间点；2】根据气体开关上施加的电压信号，计算每个时间点对应的n个子区域阴极表面电场强度；3】计算每个时间点对应的n个子区域由自然辐射引起的阴极表面单位面积初始电子产生速率n0；4】根据步骤2】中电场强度，计算每个时间点对应的n个子区域由场致发射引起的阴极表面单位面积初始电子产生速率nf；5】根据步骤2】中电场强度，计算气体开关中预电离结构产生的光电发射系数γ、光子发射系数αs和气体开关中气体介质对光子的吸收系数μ；6】根据步骤5】中所得的光电发射系数γ、光子发射系数αs和吸收系数μ，计算每个时间点对应的n个子区域由预电离引起的阴极表面单位面积初始电子产生速率np；7】计算每个时间点对应的n个子区域的有效初始电子产生概率sj；8】根据由自然辐射引起的单位面积初始电子产生速率n0、由场致发射引起的单位面积初始电子产生速率nf、由预电离引起的单位面积初始电子产生速率np及有效初始电子产生概率sj，计算t时刻产生有效初始电子的概率Ft：9】根据步骤8】所得的概率Ft，计算统计时延Te和抖动σ。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西北核技术研究所 一种统计时延的计算方法
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