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申请/专利权人：上海芯物科技有限公司
摘要：本发明涉及一种超透镜先进集成电路传感器的先进集成电路晶圆回收方法，所述先进集成电路晶圆回收方法包括如下步骤：提供超透镜先进集成电路传感器结构，所述超透镜先进集成电路传感器结构包括键合的超透镜晶圆与先进集成电路晶圆，所述超透镜晶圆与先进集成电路晶圆的键合界面位于超透镜晶圆一侧具有气泡缺陷；对超透镜晶圆的硅衬底进行第一湿法蚀刻，所述第一湿法蚀刻之前或第一湿法蚀刻之后填充气泡缺陷处；然后对超透镜晶圆的超透镜结构层与气泡缺陷处的填充物进行第二湿法蚀刻，所得先进集成电路晶圆经过表面平坦化后进行回收。本发明挽救了由于键合气泡存在导致即将报废的先进集成电路晶圆，降低了工厂成本。
主权项：1.一种超透镜先进集成电路传感器的先进集成电路晶圆回收方法，其特征在于，所述先进集成电路晶圆回收方法包括如下步骤：提供超透镜先进集成电路传感器结构，所述超透镜先进集成电路传感器结构包括键合的超透镜晶圆与先进集成电路晶圆，所述超透镜晶圆与先进集成电路晶圆的键合界面位于超透镜晶圆一侧具有气泡缺陷；对超透镜晶圆的硅衬底进行第一湿法蚀刻，所述第一湿法蚀刻之前或第一湿法蚀刻之后填充气泡缺陷处；然后对超透镜晶圆的超透镜结构层与气泡缺陷处的填充物进行第二湿法蚀刻，所得先进集成电路晶圆经过表面平坦化后进行回收。
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百度查询： 上海芯物科技有限公司 一种超透镜先进集成电路传感器的先进集成电路晶圆回收方法
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