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申请/专利权人：芯成半导体(开曼)有限公司
摘要：一种用于制造磁性存储器元件阵列的方法，其包含使用Ru硬掩模层及在所述Ru硬掩模层上形成的类金刚石碳硬掩模层。在晶片上沉积多个磁性存储器元件层，并在所述多个存储器元件层上沉积Ru硬掩模层。在所述Ru硬掩模层上沉积类金刚石碳层，并在所述类金刚石碳层上形成光致抗蚀剂掩模。然后执行反应性离子蚀刻以将所述光致抗蚀剂掩模的图像转移到所述类金刚石碳掩模上，并执行离子铣削以将经图案化的类金刚石碳掩模的图像转移到底层Ru硬掩模及存储器元件层上。然后可通过反应性离子蚀刻移除所述类金刚石碳掩模。
主权项：1.一种用于制造磁性存储器元件的方法，所述方法包括：在晶片上沉积多个存储器元件层；在所述多个存储器元件层上沉积Ru层；在所述Ru层上沉积类金刚石碳层；在所述类金刚石碳层上形成光致抗蚀剂掩模；执行第一反应性离子蚀刻以将所述光致抗蚀剂掩模的图像转移到所述类金刚石碳层上以形成类金刚石碳掩模；执行离子铣削以将所述类金刚石碳掩模的图像转移到所述Ru层上以形成Ru硬掩模并继续所述离子铣削以移除所述多个存储器元件层的不受所述Ru硬掩模保护的部分；在执行所述离子铣削之后，沉积非磁性电介质隔离层；沉积耐化学机械抛光的材料层；执行化学机械抛光；及执行第二反应性离子蚀刻以移除所述类金刚石碳掩模及所述耐化学机械抛光的材料层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 芯成半导体(开曼)有限公司 使用Ru及类金刚石碳硬掩模制造磁性存储器元件的方法
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