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申请/专利权人：周星工程股份有限公司
摘要：本发明涉及一种基板处理设备，包括：腔室；第一电极，其设置在腔室的顶部；第二电极，其设置在第一电极的底部并且包括多个开口；多个突起电极，其从第一电极延伸并且延伸到第二电极的多个开口；基板支撑件，其面对第二电极并且基板放置在其上；第一放电区域，其在第一电极的底表面与第二电极的顶表面之间；第二放电区域，其在突起电极的侧表面与第二电极的开口内表面之间；第三放电区域，其在突起电极的底表面与第二电极的开口内表面之间；以及第四放电区域，其在第二电极与基板之间，其中，在第一放电区域至第四放电区域的至少一个区域中产生等离子体。
主权项：1.一种用于处理基板的设备，所述设备包括：腔室；第一电极，所述第一电极设置在所述腔室上；第二电极，所述第二电极设置在所述第一电极的下方，所述第二电极包括多个开口；多个突起电极，所述多个突起电极从所述第一电极延伸到所述第二电极的所述多个开口；基板支撑件，所述基板支撑件与所述第二电极相对并支撑基板；第一放电区域，所述第一放电区域在所述第一电极的下表面与所述第二电极的上表面之间；第二放电区域，所述第二放电区域在所述突起电极的侧表面与所述第二电极的开口内表面之间；第三放电区域，所述第三放电区域在所述突起电极的下表面与所述第二电极的所述开口内表面之间；以及第四放电区域，所述第四放电区域在所述第二电极与所述基板之间；所述第二电极的所述上表面与所述第二电极的下表面之间的第一距离；以及所述第一电极的所述下表面与所述第二电极的所述上表面之间的第二距离，其中，在所述第一放电区域至所述第四放电区域的至少一个区域中产生等离子体，其中，所述第二距离为使得等离子体能够在所述第一放电区域中产生的尺寸。
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权利要求：
百度查询： 周星工程股份有限公司 基板处理设备
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