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申请/专利权人：森一量子科技(厦门)有限公司
摘要：本实用新型公开了一种制备二氧化碲声光晶体的坩埚下降法生长装置，内腔设有多个具有一定厚度的T型隔热块，T型隔热块具有隔热作用，将内腔分为高温区、温度梯度区与低温区；高温区设有若干U型加热棒，所述T型隔热块是上宽下窄定向减薄的结构；炉体底部还设有升降机构，升降机构实现坩埚的纵向移动。本实用新型优化晶体生长时的固液界面，使其始终可以近似地保持平面或微凸向熔体，有效地降低晶体生长时的多晶、包络和成分过冷等问题，实现高质量二氧化碲晶体的生长，大幅度提高了晶体的质量和有效利用率。
主权项：1.一种制备二氧化碲声光晶体的坩埚下降法生长装置，包含炉体与升降机构，升降机构设置在炉体的底部；炉体包括外壁与内腔，外壁采用保温材料制成，内腔设有隔热块将内腔分为高温区、温度梯度区与低温区，高温区为隔热块上方空腔，低温区为隔热块下方与炉口之间空腔部分，其特征在于，所述隔热块为T型隔热块，所述T型隔热块包括第一横块与第二竖直块；高温区设有若干U型加热棒；所述炉体内设有引下管，所述引下管与所述升降机构连接。
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