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申请/专利权人：广州概伦电子技术有限公司
摘要：本发明公开一种SiC‑MOSFET建模方法，包括确定当前拟合温度temp，基于当前拟合温度和室温分别确定随温度变化的线性区综合跨导系数Kplin和随温度变化的饱和区综合跨导系数Kpsat，基于所确定的线性区综合跨导系数Kplin和饱和区综合跨导系数Kpsat确定出IV特性电流Imos，IV特性电流Imos基于SiC‑MOSFET所处不同区采用不同的公式表征，确定CV特性，CV特性由栅源电容Cgs、漏源电容Cds和栅漏电容Cgd所决定，栅源电容Cgs为静态电容，漏源电容Cds基于漏源电压和第一预设阈值的大小关系采用对应公式表征，栅漏电容Cgd基于栅漏电压与漏极内部的阈值电压的和与第二预设阈值的大小关系采用对应公式表征。本发明能够很好地拟合与实际相符的IV特性和CV特性。
主权项：1.一种SiC-MOSFET建模方法，其特征在于，包括确定当前拟合温度temp，基于当前拟合温度temp和室温tnom分别确定随温度变化的线性区综合跨导系数Kplin和随温度变化的饱和区综合跨导系数Kpsat，基于所确定的线性区综合跨导系数Kplin和饱和区综合跨导系数Kpsat确定出IV特性电流Imos，IV特性电流Imos基于SiC-MOSFET所处不同区采用不同的公式表征，确定CV特性，CV特性包括输出电容coss、输入电容ciss和转移电容crss，输出电容coss、输入电容ciss和转移电容crss均由栅源电容Cgs、漏源电容Cds和栅漏电容Cgd所决定，栅源电容Cgs为静态电容，漏源电容Cds基于漏源电压和第一预设阈值的大小关系采用对应公式表征，栅漏电容Cgd基于栅漏电压与漏极内部的阈值电压的和与第二预设阈值的大小关系采用对应公式表征。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 广州概伦电子技术有限公司 一种SiC-MOSFET建模方法
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