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申请/专利权人：华羿微电子股份有限公司

摘要：本发明公开了一种MOSFET器件终端及制备方法，涉及半导体功率器件领域。用于解决现有钝化层制备存在工艺复杂以及成本较高的问题。包括：所述源极区金属层、所述栅极区金属层、所述外围截至区金属层均分布在隔离氧化层上表面，且所述源极区金属层、所述栅极区金属层、所述外围截至区金属层之间均分布有所述dummy金属层；所述隔离氧化层上表面、所述dummy金属层、所述源极区金属层、所述栅极区金属层、所述外围截至区金属层的上表面和侧壁上均设置一层所述氮化硅层；所述dummy金属层之间、所述dummy金属层与所述源极区金属层之间、所述dummy金属层与栅极区金属层之间、所述dummy金属层与所述外围截至区金属层之间还设置所述硅玻璃层。

主权项：1.一种MOSFET器件终端，其特征在于，包括：源极区金属层，栅极区金属层，外围截止区金属层，dummy金属层，氮化硅层和硅玻璃层；所述源极区金属层、所述栅极区金属层、所述外围截止区金属层依次分布在隔离氧化层上表面，且所述源极区金属层、所述栅极区金属层、所述外围截止区金属层之间以及所述外围截止区金属层的另一侧均分布有所述dummy金属层；设置在所述源极区金属层与所述栅极区金属层之间的dummy金属层为第一dummy金属层，设置在所述栅极区金属层与所述外围截止区金属层之间的dummy金属层为第二dummy金属层，设置在所述外围截止区金属层远离所述栅极区金属层一侧的dummy金属层为第三dummy金属层；所述源极区金属层、所述第一dummy金属层、所述栅极区金属层、所述第二dummy金属层、所述外围截止区金属层和所述第三dummy金属层的侧壁，以及所述隔离氧化层的上表面均设置有一层所述氮化硅层；设置在所述源极区金属层和所述第一dummy金属层之间、设置在所述栅极区金属层和所述第二dummy金属层之间、设置在所述外围截止区金属层和所述第三dummy金属层之间的所述氮化硅层均呈“U”型状；所述源极区金属层与所述dummy金属层之间、所述dummy金属层与栅极区金属层之间、所述dummy金属层与所述外围截止区金属层之间还设置所述硅玻璃层；所述硅玻璃层设置在所述源极区金属层和所述第一dummy金属层之间、所述栅极区金属层和所述第二dummy金属层之间、所述外围截止区金属层和所述第三dummy金属层之间的氮化硅层上。

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